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2018年全球半导体资本支出将首度破千亿美元大关

来源:Technews 日期:2018年5月25日

受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素,市场调查机构IC insight 调查报告指出,2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

报告表示,之前在2018 年3 月份,IC insight 曾经预期2018 年全年半导体的资本支出将成长8%。如今,才不到一季的时间,IC insight 就把预估值由原本的8% 上调至14%。这样看来,2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关,而且金额将比2016 年足足成长53%。

报告进一步指出,近两年来,始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星,虽然2018 年还未公布全年的资本支出金额,但是一般相信,将不会超出2017 年242 亿美元的数字。不过,就目前的观察,三星仍在上紧发条不放松。

事实上,三星在2018 年第1 季的半导体资本支出达到67.2 亿美元,较之前3 季水平略高。但是,若相较2016 年同期,则已经成长近4 倍的规模。累计过去4 季以来,三星半导体部门的资本支出已经达到266 亿美元的金额。

IC insight 预期,2018 年三星半导体的资本支出将在200 亿元上下,略低于2017 年242 亿美元。不过,因为2018 年首季就有较之前略高的成长。因此,最后的结果很可能将比预期的200 亿美元来的高。

另外,因为NAND Flash 及DRAM 的市场需求强劲,韩国存储器大厂SK 海力士预期也将在2018 年增加资本支出至115 亿美元,较2017 年的81 亿美元成长42%。

SK 海力士在2018 年增加的资本支出,将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外,还要扩大中国无锡的DRAM 工厂。清州工厂在2018 年年底前将开始兴建,而中国无锡DRAM 厂的扩建,也计划在2018年年底前动工,这时间将比原计划的2019 年初开工要早几个月。受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素,市场调查机构IC insight 调查报告指出,2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

报告表示,之前在2018 年3 月份,IC insight 曾经预期2018 年全年半导体的资本支出将成长8%。如今,才不到一季的时间,IC insight 就把预估值由原本的8% 上调至14%。这样看来,2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关,而且金额将比2016 年足足成长53%。

报告进一步指出,近两年来,始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星,虽然2018 年还未公布全年的资本支出金额,但是一般相信,将不会超出2017 年242 亿美元的数字。不过,就目前的观察,三星仍在上紧发条不放松。

事实上,三星在2018 年第1 季的半导体资本支出达到67.2 亿美元,较之前3 季水平略高。但是,若相较2016 年同期,则已经成长近4 倍的规模。累计过去4 季以来,三星半导体部门的资本支出已经达到266 亿美元的金额。

IC insight 预期,2018 年三星半导体的资本支出将在200 亿元上下,略低于2017 年242 亿美元。不过,因为2018 年首季就有较之前略高的成长。因此,最后的结果很可能将比预期的200 亿美元来的高。

另外,因为NAND Flash 及DRAM 的市场需求强劲,韩国存储器大厂SK 海力士预期也将在2018 年增加资本支出至115 亿美元,较2017 年的81 亿美元成长42%。

SK 海力士在2018 年增加的资本支出,将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外,还要扩大中国无锡的DRAM 工厂。清州工厂在2018 年年底前将开始兴建,而中国无锡DRAM 厂的扩建,也计划在2018年年底前动工,这时间将比原计划的2019 年初开工要早几个月。

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